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PHD6N10E spec: 100 V, power MOS transistor
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PHD6N10E Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Philips
Verpacken : SOT
Pins : 3
Temperatur : Min -55 °C | Max 175 °C
Größe : 62 KB
Application : 100 V, power MOS transistor
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