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BS817 spec: 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor
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BS817 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Diodes
Verpacken : SOT-23
Pins : 3
Temperatur : Min -55 °C | Max 150 °C
Größe : 63 KB
Application : 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor
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