Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > IR Datenblatt > IRFPE30
IRFPE30 spec: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800 V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1 A
Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > IR Datenblatt > IRFPE30
IRFPE30 spec: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800 V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1 A
Hersteller : IR
Verpacken : TO-247AC
Pins : 3
Temperatur : Min -55 °C | Max 150 °C
Größe : 181 KB
Application : HEXFET power MOSFET. VDSS = 800 V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1 A