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IXBT42N170 spec: 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
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IXBT42N170 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : IXYS
Verpacken : TO-268
Pins : 3
Temperatur : Min -55 °C | Max 150 °C
Größe : 54 KB
Application : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
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