Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > IXYS Datenblatt > IXTH67N10
IXTH67N10 spec: 1000V HiPerFET power MOSFET
Ähnliche IXTH67N10
- IXTH10N100
- 1000V HiPerFET power MOSFET
- IXTH10P50
- 500V standard power MOSFET
- IXTH10P60
- 600V standard power MOSFET
- IXTH11N80
- 800V HiPerFET power MOSFET
- IXTH11P50
- 500V standard power MOSFET
- IXTH12N100
- 1000V HiPerFET power MOSFET
- IXTH12N90
- 900V MegaMOS FET
- IXTH13N110
- 1100V MegaMOS FET
IXTH67N10 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : IXYS
Verpacken : TO-247
Pins : 3
Temperatur : Min -55 °C | Max 150 °C
Größe : 122 KB
Application : 1000V HiPerFET power MOSFET
IXTH67N10 PDF-Download