Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > IXYS Datenblatt > IXTM10N100
IXTM10N100 spec: 1000V HiPerFET power MOSFET
Ähnliche IXTM10N100
- IXTM10N100
- 1000V HiPerFET power MOSFET
- IXTM11N80
- 800V HiPerFET power MOSFET
- IXTM12N100
- 1000V HiPerFET power MOSFET
- IXTM13N80
- 800V HiPerFET power MOSFET
- IXTM20N60
- 600V HiPerFET power MOSFET
- IXTM24N50
- 500V HiPerFET power MOSFET
- IXTM40N30
- 300V HiPerFET power MOSFET
- IXTM5N100
- 500V IGBT with diode
IXTM10N100 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : IXYS
Verpacken : TO-204
Pins : 4
Temperatur : Min -55 °C | Max 150 °C
Größe : 116 KB
Application : 1000V HiPerFET power MOSFET
IXTM10N100 PDF-Download