Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Infineon Datenblatt > HYB514100BJ-50
HYB514100BJ-50 spec: 4M x 1bit DRAM
Ähnliche HYB514100BJ-50
- HYB511000BJ-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJ-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB5116160BSJ-50
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-60
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-70
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116165BJ-50
- 1M x 16bit EDO-DRAM
HYB514100BJ-50 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Infineon
Verpacken : P-SOJ-26/20-2 300 mi
Pins : 26
Temperatur : Min 0 °C | Max 70 °C
Größe : 118 KB
Application : 4M x 1bit DRAM
HYB514100BJ-50 PDF-Download