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MTB1N100E spec: TMOS E-FET high energy power FET
MTB1N100E Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Motorola
Verpacken : DPAK
Pins : 4
Temperatur : Min -55 °C | Max 150 °C
Größe : 281 KB
Application : TMOS E-FET high energy power FET
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