Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Motorola Datenblatt > MTP3N60E
MTP3N60E spec: TMOS E-FET high energy power FET
Ähnliche MTP3N60E
- MTP3055VL
- TMOS V power field effect transistor
- MTP30N06VL
- TMOS V power field effect transistor
- MTP30P06V
- TMOS V power field effect transistor
- MTP33N10E
- TMOS E-FET power field effect transistor
- MTP36N06V
- TMOS V power field effect transistor
- MTP3N100E
- TMOS E-FET power field effect transistor
- MTP3N120E
- TMOS E-FET power field effect transistor
- MTP3N25E
- TMOS E-FET power field effect transistor
MTP3N60E Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Motorola
Verpacken :
Pins : 4
Temperatur : Min -55 °C | Max 150 °C
Größe : 201 KB
Application : TMOS E-FET high energy power FET
MTP3N60E PDF-Download