Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Philips Datenblatt > BUK446-800A
BUK446-800A spec: PowerMOS transistor. Drain-source voltage 800 V. Drain current(DC) 2.0 A.
Ähnliche BUK446-800A
- BUK436W-1000B
- PowerMOS transistor.
- BUK436W-1000B
- 1000 V, power MOS transistor
- BUK436W-1000B
- PowerMOS transistor.
- BUK436W-1000B
- 1000 V, power MOS transistor
- BUK436W-200A
- PowerMOS transistor.
- BUK436W-200A
- PowerMOS transistor.
- BUK436W-200B
- 200 V, power MOS transistor
- BUK436W-200B
- PowerMOS transistor.
BUK446-800A Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Philips
Verpacken : SOT186
Pins : 3
Temperatur : Min 0 °C | Max 150 °C
Größe : 70 KB
Application : PowerMOS transistor. Drain-source voltage 800 V. Drain current(DC) 2.0 A.
BUK446-800A PDF-Download