Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Philips Datenblatt > BUT211X
BUT211X spec: 850 V, silicon diffused power transistor
BUT211X Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Philips
Verpacken : SOT
Pins : 3
Temperatur : Min 0 °C | Max 0 °C
Größe : 62 KB
Application : 850 V, silicon diffused power transistor
BUT211X PDF-Download