Ähnliche IRF840

  • IRF830
    • 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
  • IRF840
    • 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated

IRF840 Datenblatt und Spezifikationen

Hersteller : Philips 

Verpacken : SOT 

Pins : 3 

Temperatur : Min -55 °C | Max 150 °C

Größe : 65 KB

Application : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated 

IRF840 PDF-Download