Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Philips Datenblatt > PHB47NQ10T
PHB47NQ10T spec: 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
Ähnliche PHB47NQ10T
- PHB42N03LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB42N03LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB42N03T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
- PHB44N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB44N06LT
- 55 V, trenchMOS transistor logic level FET
- PHB44N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB44N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB44N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB47NQ10T Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Philips
Verpacken : SOT
Pins : 3
Temperatur : Min -55 °C | Max 175 °C
Größe : 293 KB
Application : 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB47NQ10T PDF-Download