Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Philips Datenblatt > PHT4NQ10LT
PHT4NQ10LT spec: 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
Ähnliche PHT4NQ10LT
- PHT4NQ10LT
- 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHT4NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
PHT4NQ10LT Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Philips
Verpacken : SOT
Pins : 3
Temperatur : Min -65 °C | Max 175 °C
Größe : 381 KB
Application : 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHT4NQ10LT PDF-Download