Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Polyfet RF Datenblatt > F2021
F2021 spec: 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Ähnliche F2021
- F2021
- 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2021 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
Verpacken :
Pins : 2
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 40 KB
Application : 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2021 PDF-Download