Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Polyfet RF Datenblatt > L225
L225 spec: 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Ähnliche L225
- L225
- 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L225 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
Verpacken : SO-8
Pins : 8
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 41 KB
Application : 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L225 PDF-Download