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L8701P spec: 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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L8701P Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
Verpacken : SO-8
Pins : 8
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 46 KB
Application : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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