Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Polyfet RF Datenblatt > LB401
LB401 spec: 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Ähnliche LB401
- LB401
- 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LB401 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
Verpacken :
Pins : 4
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 41 KB
Application : 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LB401 PDF-Download