Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Polyfet RF Datenblatt > LC801
LC801 spec: 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Ähnliche LC801
- LC801
- 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LC801 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
Verpacken :
Pins : 6
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 40 KB
Application : 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LC801 PDF-Download