Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Polyfet RF Datenblatt > LP821
LP821 spec: 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Ähnliche LP821
- LP821
- 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LP821 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
Verpacken :
Pins : 2
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 38 KB
Application : 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LP821 PDF-Download