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LQ821 spec: 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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LQ821 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
Verpacken :
Pins : 4
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 38 KB
Application : 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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