P122 spec: "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

P122 Datenblatt und Spezifikationen

Hersteller : Polyfet RF

Verpacken : SO

Pins : 6

Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C

Größe : 47 KB

Application : "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

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