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P123 spec: 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
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P123 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
Verpacken : SO-8
Pins : 8
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 41 KB
Application : 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
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