Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Polyfet RF Datenblatt > SP201
SP201 spec: "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
SP201 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
Verpacken :
Pins : 2
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 37 KB
Application : "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
SP201 PDF-Download