Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > ST Microelectronics Datenblatt > IRF530F1
IRF530F1 spec: N-channel MOSFET, 100V, 9A
Ähnliche IRF530F1
- IRF520
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
- IRF520FI
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
- IRF520FI
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
- IRF530
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
- IRF530
- N-channel MOSFET, 100V, 14A
- IRF530F1
- N-channel MOSFET, 100V, 9A
- IRF530FI
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
- IRF530FP
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
IRF530F1 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : ST Microelectronics
Verpacken : ISOWATT220
Pins : 3
Temperatur : Min -55 °C | Max 150 °C
Größe : 205 KB
Application : N-channel MOSFET, 100V, 9A
IRF530F1 PDF-Download