Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Transys Datenblatt > BULD25DR
BULD25DR spec: 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
BULD25DR Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Transys
Verpacken :
Pins : 8
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 741 KB
Application : 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
BULD25DR PDF-Download