Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Zentrum Datenblatt > U636H04DC25
U636H04DC25 spec: PowerStore 512 x 8 nvSRAM
Ähnliche U636H04DC25
- U636H04BDC25
- PowerStore 512 x 8 nvSRAM
- U636H04BDC25
- PowerStore 512 x 8 nvSRAM
- U636H04BDC45
- PowerStore 512 x 8 nvSRAM
- U636H04BDC45
- PowerStore 512 x 8 nvSRAM
- U636H04BDC45
- PowerStore 512 x 8 nvSRAM
- U636H04BDK25
- PowerStore 512 x 8 nvSRAM
- U636H04BSC25
- PowerStore 512 x 8 nvSRAM
- U636H04BSC25
- PowerStore 512 x 8 nvSRAM
U636H04DC25 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Zentrum
Verpacken : P-DIP24
Pins : 24
Temperatur : Min 0 °C | Max 70 °C
Größe : 247 KB
Application : PowerStore 512 x 8 nvSRAM
U636H04DC25 PDF-Download