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BC261 spec: 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
BC261 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Micro Electronics
Verpacken : TO-18
Pins : 3
Temperatur : Min -65 °C | Max 200 °C
Größe : 103 KB
Application : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
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