Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Micro Electronics Datenblatt > BC263
BC263 spec: 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
BC263 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Micro Electronics
Verpacken : TO-18
Pins : 3
Temperatur : Min -65 °C | Max 200 °C
Größe : 103 KB
Application : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
BC263 PDF-Download