Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Philips Datenblatt > PHD10N10E
PHD10N10E spec: PowerMOS transistor
Ähnliche PHD10N10E
- PHD10N10E
- PowerMOS transistor
- PHD10N10E
- PowerMOS transistor
- PHD11N03LT
- 30 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD11N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD11N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHD11N06LT
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD11N06LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD12N10E
- PowerMOS transistor
PHD10N10E Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Philips
Verpacken : SOT428
Pins : 0
Temperatur : Min 0 °C | Max 0 °C
Größe : 83 KB
Application : PowerMOS transistor
PHD10N10E PDF-Download