F2012 spec: 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2012 Datenblatt und Spezifikationen

Hersteller : Polyfet RF

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Pins : 2

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Größe : 40 KB

Application : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

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