F2013 Datenblatt und Spezifikationen

Hersteller : Polyfet RF 

Verpacken :  

Pins : 4 

Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C

Größe : 41 KB

Application : 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

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