Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Polyfet RF Datenblatt > F2211
F2211 spec: 15 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2211 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
Verpacken :
Pins : 4
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 38 KB
Application : 15 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2211 PDF-Download