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F2212 spec: 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2212 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
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Pins : 2
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 38 KB
Application : 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
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