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L88016 spec: 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L88016 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
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Pins : 4
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 38 KB
Application : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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