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L8801P spec: 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8801P Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
Verpacken : SO-8
Pins : 8
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 43 KB
Application : 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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