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S8201 spec: 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
S8201 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
Verpacken :
Pins : 8
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 40 KB
Application : 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
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