Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > Polyfet RF Datenblatt > S8202
S8202 spec: 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
S8202 Datenblatt und Spezifikationen
Hersteller : Polyfet RF
Verpacken :
Pins : 8
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 40 KB
Application : 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
S8202 PDF-Download