Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > ST Microelectronics Datenblatt > IRF820
IRF820 spec: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 3.0A
Path:OKDatasheet > Halbleiter Datenblatt > ST Microelectronics Datenblatt > IRF820
IRF820 spec: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 3.0A
Hersteller : ST Microelectronics
Verpacken : TO-220
Pins : 3
Temperatur : Min -65 °C | Max 150 °C
Größe : 185 KB
Application : N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 3.0A